（1）
单片机复位电路要求有一个持续时间，加上电容可以利用其两端电压不能突变的特性，使复位电平维持一定时间，使单片机复位。单片机复位电平在其手册里可以看到 。另外这个电容还可以去除一些杂波的干扰，防止单片机被错误复位
就常用的51，复位电平的要求如下：
当单片机的复位引脚出现2个机器周期以上的高电平时，单片机就执行复位操作。如果RST持续为高电平，单片机就处于循环复位状态
所以复位引脚的电容大一点没多大关系，顶多是复位时间长一点；但如果电容太小，高电平持续时间太短，则单片机无法正常复位，就不能工作
电容通常取 10UF 或 22UF ，铝电解电容即可
（2）
晶振后面的电容是负载电容，可以用来微调晶体震荡频率，这个电容要根据所用晶体来选择，晶体规格书里面会有其负载电容的值
就常用晶体来说，20PF 即可
就是的.
对于32KHZ以上的晶振，当VDD大于4.5V时，大约C1=C2=30PF。一个是相位调节电容，另一个是增益调节电容。
晶振的负载电容CL和两端的接地电容C1、C2的关系如下：CL=（C1*C2)/(C1+C2)+Cs Cs取值一般为3~6pf；便于设计一般取C1=C2.的C1=C2=30PF,那么CL的取值一般在18-20pf了。
单片机(Microcontrollers)是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。
【晶振中的负载电容的作用】晶振负载电容值指的是晶振的交流电路中参与振荡与晶振串联或者并联的负载电容值。晶振的电路频率主要是有晶振自身决定，既然负载电容参与电路振荡，肯定会对频率多少起到微调作用。负载电容值越小，振荡电路就会反而越高。比如：49S-12MHz的负载电容是20pf（国标负载），说明晶振本身的谐振频率小于12MHz，要是想让20pf的电路参与振荡，频率就会自然升高到12MHz，也许这时候会有人说，为何不如将这款晶振直接做到12MHz而不用负载电容呢？当然，这样的晶振也是有的，但实际电路的设计中会采用多种振荡形式，为了振荡反馈的信号相移等问题，所以大部分电路中都会有负载电容参与振荡。
5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。
在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。
总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。
扩展资料：
在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃），采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟）。
石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器。
参考资料来源：百度百科--晶体振荡器
常用的是晶体，需要配合两个瓷片电容，一般15pF~33pF，和单片机，电路正确，器件正常，上电就开始起振。但不会起震。
晶振上电就可以独立输出信号，不需要其它器件配合。
有些单片机内部也有振荡电路，上电就开始起振。
一般的晶振的负载电容为 15p 或 12.5p ,如果再考虑元件引脚的 等效输入电容,则两个 22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的 选择。，一般IC引脚杂散电容2~3pF,所以应该选择16~30PF的电容比较合适.晶振大小其实影响不大.我们一般选择27P电容. 晶振要配多大的电容比较合适?
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