这与51单片机供电电压有关:
1、3.3V供电时:单片机IO口置1时电压在3V左右,置0时电压接近0V大约0.1V左右。
2、单片机IO口输出电流能力与型号有关,一般在1mA~20mA左右,低电平输出能力较强。实际输出电流大小取决于后级负载大小,以及端口输出方式(推挽、强上拉、弱上拉)有关。
3、P0口是准双向口,可作为输入口,也可以作为输出口,可以位寻址。还可以作为扩充外部存储器低8位地址口。
STC10F04单片机的定时器0 /定时器1/串行口与传统8051兼容,增加了独特波特率发生器,省去了定时器2。传统8051的1111条指令执行速度全面提速,最快的指令快24倍,最慢的指令快3倍。
1.增强型8051 CPU,1T,单时钟,机器周期,指令代码完全兼容传统8051
2.工作电压:5.5V~3.8/3.3V
3.工作频率范围 :0~35MHz,相当于普通8051的0~420MHz
4.应用程序空间: 4K字节
5.RAM:256字节
6.通用I /O(40/36个),复位后为:准双向口/弱上拉(普通8051传统I/O)可设置成四种模式:7.准双向口/弱上拉,推挽/强上拉,仅为输入/高阻,开漏每个I/O口驱动能力均可达到20mA,但整个芯片最大不要超过100mA
8.ISP(在系统可编程)/IAP(在应用可编程),无需专用编辑器,无需专用仿真器,可通过串口(RXD/P3.0,TXD/P3.1)直接下载用户程序,数秒即可完成一片
9.看门狗
10.内部集成MAX810专用复位电路(晶体频率在 24MHz以下时,要选择高的复位门槛电压,如4.1V以下复位,晶体频率在12MHz以下时,可选择低的复位门槛电压,如3.7V以下复位,复位脚接1K电阻到地)
11.内置一个对内部Vcc进行掉电检测的掉电检测电路,可设置为中断或复位,5V单片机掉电检测门槛电压为4.1/3.7V附近
12.时钟源:外部高精度晶体/时钟,内部R/C振荡器,用户在下载程序时,可选择是使用内部R/C振荡器还是外部晶体/时钟.常温下内部R/C振荡器频率为:4MHz~8MHz.精度要求不高时,可选择使用内部时钟,但因为有制造误差和温漂,以实际测试为准
13.2个16位定时器(与传统8051兼容的定时器 /计数器,16位定时器T0和T1)
14.3个时钟输出口,可由T0的溢出在P3.0/T0输出时钟,可由T1的溢出在P3.5/T1输出时钟
外部中断I/O口有5路,支持传统的下降沿中断或低电平触发中断。Power down(掉电)模式可由外部中断唤醒,INT0/P3.2, INT1/P3.3, INT/TO/P3.4, INT/T1/P3.5, INT/Rxd/P3.0(或INT/Rxd/P1.6)
单片机一般工作电源电压是5V,很多单片机工作电源电压是2V- 6V.串口接10V电压,会烧.会很容易损坏单片机.
我理解你的目的是测量多个周期方波的高电平和低电平宽度的总和,进行平均,以便获取更高精度的占空比。
如果是这样,较简单的方案是采用两个计数器,分别对高电平和低电平宽度进行及时。外部采用一片反相器,分别连接两个计数器的输入门控信号,使其中一个计数器只有在方波高电平期间计时,另一个计数器只有在方波低电平期间计时。至于是否记录1000组,其实并不重要,只要是组数足够多,就可以了。
我用过,还用过C8051F120,之所以又用C8051F040是因为F040有内部集成的CAN总线控制器。这个系列的单片机属于增强型高速51单片机,大部分指令可在一个时钟周期内完成,所以同样的晶振下可以获得传统51单片机近12倍的速度。F040有4路12位的ADC,2路12位的DAC,2个串口,1个SPI总线接口,1个I2C,1个CAN总线接口。价格不便宜,50块钱左右一片。去下载一个数据手册来参考吧。
一般是5V,继电器如果要求有12V的工作电压的话
在之前的变压电路中,把220V交流电变通过变压电路输出供单片机正常工作的一组电压(5V),再分一组12V,就可以解决问题了。
f040单片机串口电压的介绍就聊到这里吧,感谢您花时间阅读,谢谢。
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