这与51单片机供电电压有关：
1、3.3V供电时：单片机IO口置1时电压在3V左右，置0时电压接近0V大约0.1V左右。
2、单片机IO口输出电流能力与型号有关，一般在1mA~20mA左右，低电平输出能力较强。实际输出电流大小取决于后级负载大小，以及端口输出方式（推挽、强上拉、弱上拉）有关。
3、P0口是准双向口，可作为输入口，也可以作为输出口，可以位寻址。还可以作为扩充外部存储器低8位地址口。
STC10F04单片机的定时器0 /定时器1/串行口与传统8051兼容，增加了独特波特率发生器，省去了定时器2。传统8051的1111条指令执行速度全面提速，最快的指令快24倍，最慢的指令快3倍。
1.增强型8051 CPU，1T，单时钟，机器周期，指令代码完全兼容传统8051
2.工作电压：5.5V~3.8/3.3V
3.工作频率范围 ：0~35MHz,相当于普通8051的0~420MHz
4.应用程序空间: 4K字节
5.RAM：256字节
6.通用I /O（40/36个），复位后为：准双向口/弱上拉（普通8051传统I/O）可设置成四种模式：7.准双向口/弱上拉,推挽/强上拉,仅为输入/高阻，开漏每个I/O口驱动能力均可达到20mA，但整个芯片最大不要超过100mA
8.ISP(在系统可编程)/IAP（在应用可编程），无需专用编辑器，无需专用仿真器，可通过串口（RXD/P3.0,TXD/P3.1）直接下载用户程序，数秒即可完成一片
9.看门狗
10.内部集成MAX810专用复位电路（晶体频率在 24MHz以下时，要选择高的复位门槛电压，如4.1V以下复位，晶体频率在12MHz以下时，可选择低的复位门槛电压，如3.7V以下复位，复位脚接1K电阻到地）
11.内置一个对内部Vcc进行掉电检测的掉电检测电路，可设置为中断或复位，5V单片机掉电检测门槛电压为4.1/3.7V附近
12.时钟源：外部高精度晶体/时钟，内部R/C振荡器,用户在下载程序时，可选择是使用内部R/C振荡器还是外部晶体/时钟.常温下内部R/C振荡器频率为：4MHz~8MHz.精度要求不高时，可选择使用内部时钟，但因为有制造误差和温漂，以实际测试为准
13.2个16位定时器（与传统8051兼容的定时器 /计数器，16位定时器T0和T1）
14.3个时钟输出口，可由T0的溢出在P3.0/T0输出时钟，可由T1的溢出在P3.5/T1输出时钟
外部中断I/O口有5路，支持传统的下降沿中断或低电平触发中断。Power down（掉电）模式可由外部中断唤醒，INT0/P3.2, INT1/P3.3, INT/TO/P3.4, INT/T1/P3.5, INT/Rxd/P3.0(或INT/Rxd/P1.6)
单片机一般工作电源电压是5V,很多单片机工作电源电压是2V- 6V.串口接10V电压,会烧.会很容易损坏单片机.
我理解你的目的是测量多个周期方波的高电平和低电平宽度的总和，进行平均，以便获取更高精度的占空比。
如果是这样，较简单的方案是采用两个计数器，分别对高电平和低电平宽度进行及时。外部采用一片反相器，分别连接两个计数器的输入门控信号，使其中一个计数器只有在方波高电平期间计时，另一个计数器只有在方波低电平期间计时。至于是否记录1000组，其实并不重要，只要是组数足够多，就可以了。
我用过，还用过C8051F120，之所以又用C8051F040是因为F040有内部集成的CAN总线控制器。这个系列的单片机属于增强型高速51单片机，大部分指令可在一个时钟周期内完成，所以同样的晶振下可以获得传统51单片机近12倍的速度。F040有4路12位的ADC，2路12位的DAC，2个串口，1个SPI总线接口，1个I2C，1个CAN总线接口。价格不便宜，50块钱左右一片。去下载一个数据手册来参考吧。
一般是5V，继电器如果要求有12V的工作电压的话
在之前的变压电路中，把220V交流电变通过变压电路输出供单片机正常工作的一组电压（5V），再分一组12V，就可以解决问题了。
f040单片机串口电压的介绍就聊到这里吧，感谢您花时间阅读，谢谢。
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